7月1日消息，国家知识产权局信息显示，江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“混气装置和薄膜沉积设备”的专利。申请公布号为CN122303838A，申请号为CN202411969043.0，申请公布日期为2026年6月30日，申请日期为2024年12月30日，发明人王永友，专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师石惠，分类号C23C16/455。
专利摘要显示，本申请提供了一种混气装置以及薄膜沉积设备，包括：进气件和混气部；其中，进气件形成有至少两个进气管路；混气件包括混气部、过渡部，过渡部靠近进气件一侧设置，混气部远离进气件一侧设置。本申请提供的混气装置通过设置过渡部，将第一通气管路和第二通气管路进行分离，使薄膜只会产生在混气腔内，从而避免了混气装置内壁形成连续膜导致上下两端导通绝缘失效问题，增长清洁周期，提高零件的使用寿命。
微导纳米成立于2015年12月25日，于2022年12月23日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省无锡市。该公司是国内领先的ALD设备制造商，核心业务为先进微、纳米级薄膜沉积设备，技术优势显著。
微导纳米以ALD技术为核心，专注于先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用，为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案。所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，涉及OLED、存储概念、昨日高振幅等概念板块。
2025年，微导纳米营业收入为26.33亿元，在行业12家公司中排名第9，远低于第一名捷佳伟创的154.72亿元和第二名晶盛机电的113.57亿元，也低于行业平均数56.11亿元和中位数45.56亿元。其主营业务中，光伏设备收入15.91亿元，占比60.43%；半导体设备收入8.81亿元，占比33.45%。净利润方面，2025年为2.19亿元，行业排名第7，同样低于第一名捷佳伟创的26.18亿元和第二名晶盛机电的8.59亿元，以及行业平均数5.17亿元和中位数2.96亿元。
江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利实质审查的生效、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文2靶材结构和磁控溅射设备发明专利公布CN202610443065.62026-04-03CN122214800A2026-06-16白展逢、籍伟杰、张鹤、汤亚东、黎微明3混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202610442872.62026-04-03CN122235689A2026-06-19李新、柴智、赵婷婷、李振、张义明4溅射设备和溅射方法发明专利公布CN202610443120.12026-04-03CN122303811A2026-06-30张鹤、邓晚、白展逢、籍伟杰、汤亚东、黎微明5功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利授权CN202610426169.62026-04-02CN121968868B2026-06-16隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔6一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵7温度调节装置以及镀膜设备发明专利公布CN202610321903.22026-03-16CN122235698A2026-06-19安超、荒见淳一8温度调节装置以及镀膜设备发明专利公布CN202610321907.02026-03-16CN122235699A2026-06-19安超、荒见淳一9进气装置和反应设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学10基片及其制备方法和半导体器件发明专利公布CN202610300638.X2026-03-12CN122318743A2026-06-30赵光辉、马洪宝11顶针结构、加热盘及薄膜沉积设备发明专利公布CN202610312763.22026-03-12CN122318810A2026-06-30柴智12一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波13一种硅片取放机构及导片系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华14用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超15半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超16半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊17用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超18一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波19一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣20载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡21喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧22喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏23半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾24防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷25一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超26加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林27一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超28一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超29半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福30反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡31反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴32支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛33一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚34承载支架和晶圆处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明35气路装置、气路控制方法、反应装置及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建36薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌37管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建38反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建39测试装置、测试方法及升降机构发明专利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福40一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛41ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远42ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远43进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森44支撑装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902345.02025-12-16CN121826663A2026-04-10周芸福、王国超、王卓、游巧45管路系统及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902165.22025-12-16CN121820270A2026-04-10邹天顺、龚炳建46一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511881677.52025-12-12CN121826653A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超47薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511869929.22025-12-11CN121295147A2026-01-09许允昕、周芸福48加热系统、半导体设备和加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511862984.92025-12-10CN121430206A2026-01-30周瑞、周芸福、龚炳建49检测设备及基片状态的检测方法发明专利公布CN202511850870.22025-12-09CN121646334A2026-03-10王新征、陈鹏50金属粉末及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511841229.22025-12-08CN121755701A2026-03-31李翔、王娟、袁红霞、糜珂